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Silizium-PIN-Fotodioden: Erhöhte Empfindlichkeit für sichtbares Licht

Um der Nachfrage nach zuverlässiger optischer Signalerkennung in Wearables gerecht zu werden, baut Vishay sein Angebot an Optoelektronik-Bauteilen weiter aus. Die Silizium-PIN-Fotodioden VEMD5510C und VEMD5510CF enthalten IR-Sperrfilter und besitzen ein schwarzes Gehäuse.

Silizium-PIN-Photodiode VEMD5510C: kurze Schaltzeiten und kompaktes Top-View-SMD-Gehäuse Bildquelle: © Vishay Intertechnology

Silizium-PIN-Fotodiode VEMD5510C: kurze Schaltzeiten und kompaktes Top-View-SMD-Gehäuse

Die Hochgeschwindigkeits-Silizium-PIN-Fotodioden haben eine strahlungsempfindliche Fläche von 7,5mm², einen Empfindlichkeitsbereich von 440nm bis 700nm (VEMD5510C) bzw. 440nm bis 620nm (VEMD5510CF) und Fotoströme von 0,6µA bzw. 0,25µA. Die auf den Chip integrierten Sperrfilter unterdrücken Störungen durch nicht-sichtbares Licht, und das schwarze Gehäuse blockt unerwünschtes Seitenlicht. Das Ergebnis ist eine spektrale Empfindlichkeit von weniger als fünf Prozent für Wellenlängen >800nm (VEMD5510C) bzw. >700nm (VEMD5510CF).

Mit ihrem kompaktem Gehäuse mit Abmessungen von 5mm x 4mm bei einer Bauhöhe von 0,9mm ermöglichen sie flache Sensor-Designs. Die Bauteile wurden  für optische Pulsfrequenzmessungen für Fitness Tracker oder smarte Armbanduhren sowie medizinische Überwachungssensoren, die für den Anschluss an Patientenmonitorsysteme vorgesehen sind, entwickelt. Zudem eignen sie sich als schnelle Fotodioden in Brandmeldern und für Umgebungslichtsensoren zum Dimmen von Displays oder zur Helligkeitsanpassung.

Beide Fotodioden haben einen Empfindlichkeits-Halbwertwinkel von ±65° und sind für den Betriebstemperaturbereich von –40°C bis +100°C spezifiziert. Das Empfindlichkeitsmaximum liegt bei 55n nm beziehungsweise 540 nm.

Beide Typen sind RoHS-konform, halogenfrei und Vishay Green. Sie erfüllen die Anforderungen des Standards J-STD-020 MSL (Moisture Sensitivity Level) 4, entsprechend einer Floor-Life-Zeit von 72 Stunden. (me)