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MOSFET SiR626DP: Leistungsverluste verringern

Vishay Intertechnology präsentiert einen neuen 60-V-TrenchFET-Gen-IV-n-Kanal-Leistungs-MOSFET im 6,15mm x 5,15mm großen PowerPAK SO-8-Single-Gehäuse. Der SiR626DP von Vishay Siliconix wurde mit dem Ziel entwickelt, den Wirkungsgrad von Energiewandlern zu verbessern.

60-V-TrenchFET-MOSFET mit On-Widerstand ab 1,7mOhm Bildquelle: © Vishay

60-V-TrenchFET-MOSFET mit On-Widerstand ab 1,7mOhm

Er bietet einen um 36% geringeren On-Widerstand als vergleichbare Bauteile der Vorgängergeneration mit der niedrigsten Gate- und Ausgangsladung seiner Klasse. Der neue MOSFET kombiniert einen On-Widerstand von  1,7mOhm (max.) bei 10V Gate-Spannung mit einer äußerst geringen Gate-Ladung von 52nC, einer Ausgangsladung von nur 68nC und einer COSS von nur 992pF. Die genannten Werte sind um 32% bzw. 45% geringer als bei vergleichbaren Produkten der Vorgängergeneration. Die COSS-Kapazität ist um 69% kleiner.  

Die verbesserten Spezifikationen des SiR626DP wurden laut Hersteller auf minimale Durchlass- und Schaltverluste optimiert. Das Ergebnis ist ein höherer Wirkungsgrad von Synchrongleichrichtern in AC/DC-Wandlern, primär- und sekundärseitigem Schalten in galvanisch getrennten Gleichspannungswandlern für Solar-Mikro-Wechselrichter; Stromversorgungen für Telekomausrüstung, Server und medizinische Geräte; Motorsteuerungen in Elektrowerkzeugen und Industrieausrüstung; und Batterieschalter in Batteriemanagement-Modulen.

Hier geht’s direkt zur Produktinformation beim Hersteller

 

(me)